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2019年中國第三代半導體器件市場規(guī)模為86.29億元，國內(nèi)廠商整體規(guī)模較小，國際企業(yè)占據(jù)主導。英諾賽科此時處于產(chǎn)能建設階段，其蘇州基地于2019年完成主廠房封頂，尚未大規(guī)模量產(chǎn)。

據(jù)Trendforce數(shù)據(jù)，2021年英諾賽科氮化鎵功率產(chǎn)品全球市場份額達20%，躍居全球第三。這得益于其全球首條8英寸硅基氮化鎵產(chǎn)線量產(chǎn)（2020年設備搬入）和技術(shù)突破，如解決8英寸外延生長難題。2021年引進ASML光刻機提升產(chǎn)能和良率，同年蘇州研發(fā)樓奠基，計劃投資80億元擴產(chǎn)。

按收入計算，英諾賽科2023年全球氮化鎵功率半導體市場份額達33.7%，成為全球第一。其產(chǎn)品覆蓋30V-1200V全電壓范圍，應用于消費電子、數(shù)據(jù)中心等領域。2023年8月，氮化鎵芯片累計出貨量突破3億顆，蘇州基地進入量產(chǎn)階段，月產(chǎn)能達1.3萬片。

2024年營收同比增長39.8%至8.285億元，毛虧損率從-61.6%改善至-19.5%，反映出規(guī)模效應和成本控制成效。在汽車電子領域，其40V車規(guī)級芯片（INN040FQ045A-Q）獲行業(yè)認可，并進入激光雷達、OBC等場景；數(shù)據(jù)中心領域向全球廠商供貨。2024年底在中國香港上市，成為國內(nèi)氮化鎵半導體首家上市企業(yè)，增強資金實力。

2025年英諾賽科率先實現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)，打破美國壟斷。IDM模式（全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控）和8英寸工藝領先國際，產(chǎn)品功率密度和熱性能優(yōu)勢顯著。預計2028年全球氮化鎵功率半導體市場規(guī)模將達501億元，英諾賽科在AI算力、電動汽車、機器人等領域的布局有望進一步擴大份額。若延續(xù)當前增速，其2025年市場份額可能接近40%。從消費電子（如快充）向汽車、數(shù)據(jù)中心等高附加值領域延伸。

英諾賽科市場份額從2019年的起步階段，到2021年躋身全球前三，2023年成為全球第一，2024-2025年通過技術(shù)迭代和新興市場拓展鞏固領先地位，推動國產(chǎn)第三代半導體國產(chǎn)化率顯著提升。